集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-120V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
−100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
350~700 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-300mV/-0.3V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
audio frequency general purpose amplifier applications Features • TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) • High voltage ： VCEO = −120 V • Excellent hFE linearity: hFE (IC = −0.1 mA)/hFE (IC = −2 mA) = 0.95 (typ.) • High hFE: hFE = 200~700 • Low noise: NF = 1dB (typ.), 10dB (max) • Complementary to 2SC2713 • Small package APPLICATIONS • Audio Frequency General Purpose Amplifier Applications |
| 描述与应用 |
音频通用放大器应用 特点 •TOSHIBA晶体管的硅PNP外延式（PCT的进程） •高电压VCEO=-120V •优秀HFE线性：HFE（IC= -0.1毫安）/ HFE（IC=-2毫安）=0.95（典型值） •高HFE：HFE= 200〜700 •低噪音：NF=1分贝（典型值），10分贝（最大） •互补2SC2713 •小型封装 应用 •音频通用放大器应用 |