集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | −20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | -10V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 140MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −200mV/-0.2V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Transistor silicon PNP epitaxial type audio power applications； strobe flash applications； high DC current gain and excellent linearity； low saturation voltage； |
| 描述与应用 | 晶体硅外延型PNP 音频功率应用; 闪光灯的应用; 高直流增益，出色的线性度; 低饱和电压 |