集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
-40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−40V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
−200mA/-0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
510MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
-100mV/-0.1V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
High frequency amplifier and switching PNP silicon epitaxial transistor mini mold high speed switching； high gain bandwidth product； complementary to 2SC3734 |
| 描述与应用 |
高频放大器和开关 PNP硅外延晶体管 小型模具 高速交换; 高增益带宽积; 2SC3734互补 |