集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
−40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
−32V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
−500mA/-0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
82~180 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage |
−600mV/-0.6V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
Medium Power Transistor Features 1) Large IC. ICMAX.= -500mA 2) Low VCE(sat). Ideal for low-voltage operation. 3) Complements the 2SC4097 |
| 描述与应用 |
中等功率晶体管 特点 1）大输出电流。 ICMAX=500毫安 2）低VCE（sat）的。 为低电压操作的理想选择。 3）补充2SC4097 |