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Inventory:200 Min Order：10
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  • Model：2SA1603R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：TR
  • Package：SOT-323/SC-70

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		−100mA/-0.1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 200MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		180~390
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-300mV/-0.3V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		150mW/0.15W
Description & ApplicationsFOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON PNP EPITAXIAL TYPE(mini type) FEATURE ●Small collector to emitter saturation voltage. VCE(sat)=-0.3V max（@Ic=-100mA,IB=-10mA） ●Excellent linearity of DC forward gain. ●Super mini package for easy mounting APPLICATION For Hybrid IC,small type machine low frequency voltage Amplify application
描述与应用对于低频放大应用 硅PNP外延型（迷你型） 特点 ●小集电极到发射极饱和电压。                     VCE（sat）=-0.3V最大（@ IC =100mA时IB=-10mA的） ●直流前锋出色的线性度获得。 ●超小型封装，便于安装 应用 对于混合集成电路，小型机低频电压 放大应用

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SA1603R
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