集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -600V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −600V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −500mA/-0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 35MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | -1000mV/-1V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 1W |
| Description & Applications | high-voltage switching transistor telephone, power supply Features high breakdown voltage； low saturation voltage； high switching speed |
| 描述与应用 | 高压开关晶体管 电话，电源供应器; 特点 击穿电压高; 低饱和电压; 高开关速度 |