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  • Model：2sB1118S
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：BAS
  • Package：SOT-89/PCP/SC-62

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		−20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−15V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 -700mA/-0.7A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		 250MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		140~280
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-120mV/-0.12V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsLow-Voltage High-Current Amplifier,Muting Applications PNP Silicon epitaxial planar transistor Features Low collector-to-emitter saturation voltage. Very small size making it easy to provide highdensity, small-sized hybrid IC’s.
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 低电压高电流放大器，静音应用 特点 低集电极 - 发射极饱和电压。 体积非常小，因此很容易提供高密度，小型混合IC。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2sB1118S
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