Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SB1316TR
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：B1316
  • Package：SOT-89/SC-62/MPT

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		-100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		−100V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		-2A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		1000~10000
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage		-1.5V
耗散功率Pc
PoWer Dissipation		2W
Description & ApplicationsPNP Silicon epitaxial planar transistor Power transistor Features 1) Darlington connection for high DC current gain. 2) Built-in resistor between base and emitter. 3) Built-in damper diode. 4) Complements the 2SD1980
描述与应用PNP硅外延平面晶体管 功率晶体管 特点 1）达林顿连接高直流电流增益。 2）内置基极和发射极之间的电阻。 3）内置阻尼二极管。 4）补充2SD1980

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SB1316TR
*Title：
Message：
*Code：