集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −60V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | -2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~270 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −550mV/-0.55V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor Features Low saturation voltage Complements to2SD2391. |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 低饱和电压 补充型to2SD2391。 |