集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 55V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 150mA/0.15A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 180MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 300~600 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | NPN Silicon epitaxial planer type Low frequency general purpose amplifier applications Features Mini package faciliates miniaturization in end products. High breakdown voltage |
| 描述与应用 | NPN硅外延平面型 低频通用放大器应用 特点 迷你包以利于在终端产品的小型化。 高击穿电压 |