集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 40V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 400MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 120~240 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | NPN Silicon epitaxial Transistors Ultra high speed switch applications,computer,counter applications High transition frequency Low saturation voltage High speed switching time |
| 描述与应用 | NPN硅外延晶体管 超高速开关应用，计算机，计数器的应用 高转换频率 低饱和电压 高速开关时间 |