集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
300V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
200V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
50MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
100~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
1.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
2W |
| Description & Applications |
NPN SILICON EPITAXIAL TRANSIStOR Description High Voltage Switching,especially in Hybrid integrated circuits. Features world standard miniature package High voltage |
| 描述与应用 |
NPN硅外延晶体管 描述 高压开关，尤其是在混合集成电路。 特点 世界标准的微型封装 高压 |