集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 400V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 70MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~200 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 600mV/0.6V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | NPN triple diffused planar Silicon transistor High-Voltage Driver Applications High breakdown voltage Adoption of MBIT process Excellent hFE linearity |
| 描述与应用 | NPN三重扩散平面硅晶体管 高电压驱动器应用 高击穿电压 通过MBIT过程 优秀HFE线性 |