集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
6V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
200mA/0.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
250~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE Small collector to emitter saturation voltage Excellent linearity of DC forward current gain Super mini package for easy mounting |
| 描述与应用 |
用于低频放大应用 硅NPN外延型 小集电极到发射极饱和电压 出色的线性的直流正向电流增益 易于安装的超小型封装 |