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  • Model：2SC4213-B
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：1239+ROHS 05+NOPB2K
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AB
  • Package：SOT-323/SC-70/USM

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		20V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		300mA/0.3A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		30MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		350~1200
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		42mV
耗散功率Pc
Power Dissipation		100mW/0.1W
Description & ApplicationsTOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) FOR MUTING AND SWITCHING APPLICATIONS High Emitter-Base Voltage High Reverse hFE Low On Resistance High DC Current Gain Small Package
描述与应用东芝晶体管的硅NPN外延式（PCT的进程） 静音和开关应用 高发射极 - 基极电压 高反向HFE 低导通电阻 高DC电流增益 小型封装

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC4213-B
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