集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 300V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 300V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 70MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 50~150 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 200mW/0.2W |
| Description & Applications | TOSHIBA Transistor Silicon NPN triple diffused Type (PCT process) HIGH VOLTAGE CONTROL APPLICATIONS High Voltage Low Saturation Voltage Small Collector Output Capacitance |
| 描述与应用 | 东芝晶体管的硅NPN型三重扩散型（PCT程序） 高电压控制应用 高电压 低饱和电压 小集电极输出电容 |