集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 300MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 140~280 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 250mV/0.25V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1.5W |
| Description & Applications | NPN epitaxial planer Silicon transistor High-Speed Switching Applications Adoption of FBET,MBIT processes Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage Fast switching speed Small-sized package |
| 描述与应用 | NPN硅外延晶体管 高速开关应用 采纳FBET，MBIT进程 大电流容量 集电极到发射极的饱和电压低 开关速度快 小型包装 |