集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
25V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
20mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
500MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
56~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
100mV/0.1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
150mW/0.15W |
| Description & Applications |
Features •Silicon PNP epitaxial planer type •High transition frequency fT=500MHz(Typ) •low output capacitance Cob=1.4pF(Typ) •Low base resistance for high gain and excellent noise response |
| 描述与应用 |
特点 •PNP硅外延平面型 •高转换频率fT=500MHz的（典型值） •低输出电容科夫=1.4pF（典型值） •低基极电阻的高增益和良好的噪声响应 |