集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 150V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 150V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 50mA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 120MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 56~120 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | <500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | high voltage amplifier transistor ■ Features • High breakdown voltage （BVceo=150V） • Low collector output capacitance,typically 2pF at Vcb=12V |
| 描述与应用 | 高电压放大器晶体管 ■特点 •高击穿电压（击穿=150V） •低集电极输出电容，通常2pF的VCB =12V |