集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 4A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 10MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 100~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | <1V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | Power Transistor Features 1) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat) = 0.3V at IC / IB =2 / 0.2A) 2) Excellent DC current gain characteristics. 3) Pc = 30W (Tc = 25°C) 4) Wide SOA (safe operating area). |
| 描述与应用 | 功率晶体管 特点 1）低饱和电压。 （典型值VCE（sat）的IC / IB=2/0.2A= 0.3V） 2）优秀DC电流增益特性。 3）PC=30W（TC= 25°C） 4）宽安全工作区（SOA）。 |