Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SC5886
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：06NOPB 04+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：C5886
  • Package：TO-252

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		 100V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		 50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		 5A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		  
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		 400~1000
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		 220mV/0.22V
耗散功率Pc
Power Dissipation		 1W
Description & Applications Transistor Silicon NPN Epitaxial Type High-Speed Switching Applications DC-DC Converter Applications Strobe Applications • High DC current gain: hFE = 200 to 500 (IC = 0.5 A) • Low collector-emitter saturation voltage: VCE (sat) = 0.2 V (max) • High-speed switching: tf = 25 ns (typ.)
描述与应用 晶体管的硅NPN外延型 高速开关应用 DC-DC转换器应用 频闪应用 •高直流电流增益：HFE=200〜500（IC= 0.5 A） •低集电极 - 发射极饱和电压VCE（饱和）=0.2 V（最大值） •高速开关：TF =25 ns

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SC5886
*Title：
Message：
*Code：