集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 50V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 250MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 180~390 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 400mV/0.4V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | medium power transistor feature * high current.(Ic=5A) *low saturation voltage. typically VCE(sat)=0.1V at Ic/Ib=150mA/15mA |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管 特点 *高电流（IC=5A）。 *低饱和电压。通常VCE（饱和）= 0.1V |