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Inventory:800 Min Order：10
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  • Model：2SD1622R
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：DER
  • Package：SOT-89/PCP

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		150MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		100~200
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		120mV/0.12V
耗散功率Pc
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & ApplicationsSilicon NPN epitaxial planer type darlington low frequency power amp amplification Features * very small size making it easy to provide high density hybird ics * adoption of FBET processes
描述与应用NPN硅外延平面型达林顿 低频功率放大器放大 特点 *非常小的尺寸使其易于提供高密度摄录ICS *采用的FBET过程

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD1622R
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