集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 120V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 100V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 4A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 180MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1W |
| Description & Applications | PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High Current Switching Applications Applications · suitable for relay drivers, high speed inverters,converters,and other general high current switching application. Features * high fT * fast switch time * Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) * good linearity of hFE |
| 描述与应用 | PNP/ NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用 ·适合于继电器驱动器，高速逆变器，转换器，及其他一般高电流开关应用。 特点 *高FT *快速开关时间 *低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） *良好的线性HFE |