集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 80V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 180~390 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 150mV/0.15V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | Features * High VCEO, VCEO = 80V * High IC, IC = 1A (DC) * Good hFE linearity. * Low VCE(sat). Structure Epitaxial planar type NPN silicon transistor |
| 描述与应用 | 特点 *高VCEO VCEO=80V *高IC IC= 1A（DC） *良好的HFE线性。 *低VCE（SAT）。 ？结构 外延平面型 NPN硅晶体管 |