集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
60V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
50V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
150mA/0.15A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
250MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
1200~2700 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation |
200mW/0.2W |
| Description & Applications |
General Purpose Transistor (50V, 0.15A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VCBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Typ. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=50mA/5mA) |
| 描述与应用 |
通用晶体管（50V，0.15A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VCBO12V） 3）低饱和电压。 （典型值VCE（sat）=0.3V IC / IB=50mA/5mA） |