集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1.2A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 200MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 820~2700 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 2W |
| Description & Applications | Medium Power Transistor (25V, 1.2A) Features 1) High DC current gain. 2) High emitter-base voltage. (VEBO=12V) 3) Low saturation voltage. (Max. VCE(sat)=0.3V at IC/IB=500mA/10mA) |
| 描述与应用 | 中等功率晶体管（25V，1.2A） 特点 1）高DC电流增益。 2）高发射基地电压。 （VEBO12V） 3）低饱和电压。 （最大VCE（sat）=0.3V IC / IB=500mA/10mA） |