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  • Model：2SD2655WM-TL-E
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：WM
  • Package：SOT-23/SC-59/MPAK

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)		60V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)		50V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)		1A
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)		280MHz
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)		200~500
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage		160mV/0.16V
耗散功率Pc
Power Dissipation		800mW/0.8W
Description & ApplicationsSilicon NPN Epitaxial Planer Low Frequency Power Amplifier Features • Small size package: MPAK (SC–59A) • Large Maximum current: IC = 1 A • Low collector to emitter saturation voltage: VCE(sat) = 0.3 V max.(at IC/IB = 0.5 A/0.05 A) • High power dissipation: PC = 800 mW (when using alumina ceramic board (25 x 60 x 0.7 mm)) • Complementary pair with 2SB1691
描述与应用NPN硅外延刨床 低频功率放大器 特点 •小型封装：MPAK（SC-59A） •大最大电流：IC=1 •低集电极到发射极饱和电压VCE（星期六）=0.3 V最大（IC / IB=0.5 A/0.05Å）。 •高功耗PC =800毫瓦（当使用氧化铝陶瓷板（25×60×0.7毫米）） •互补配对2SB1691

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SD2655WM-TL-E
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