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Inventory:500 Min Order：10
Parameters
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Parameters：

  • Model：2SJ238
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：1000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：Z6
  • Package：SOT-89/SC-62

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-60V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-1A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.68Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.8--2.0V
耗散功率Pd
Power Dissipation		500mW/0.5W
Description & Applicationsfield effect transistor silicon p channel mos type high speed, high current dc-dc converter, relay drive and motor drive applications 4-volt gate drive low drain-source on resistance high forward transfer admittance high forward transfer admittance low leakage current enhancement mode
描述与应用场效应晶体管的 硅p沟道MOS类型 高速，高电流DC-DC转换， 继电器驱动器和电机驱动应用 4伏栅极驱动 低漏源电阻 高正向转移导纳 高正向转移导纳 低漏电流 增强模式

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ238
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