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Inventory:920 Min Order：10
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  • Model：2SJ439
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：J439
  • Package：TO-252/DPAK

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-16V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		-5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State
Resistance		0.14Ω @-2.5A,-4V
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-0.5--1.1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		20W
Description & Applications 2.5 V gate drive Low drain−source ON resistance : RDS (ON) = 0.18 Ω (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 6.0 S (typ.) Low leakage current : IDSS = −100 µA (max) (VDS = −16 V) Enhancement−mode : Vth = −0.5~−1.1 V (VDS = −10 V, ID = −1 mA)
描述与应用2.5 V门极驱动器 低漏源导通电阻RDS（ON）= 0.18Ω典型值） 高正向转移导纳：| YFS|= 6.0 S（典型值） 低漏电流：IDSS=-100μA（最大值（VDS=-16 V） 增强模式：VTH =-0.5〜-1.1 V（VDS= -10 V，ID=-1毫安）

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SJ439
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