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Inventory:11600 Min Order：10
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  • Model：2SK1589
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+NOPB600
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：G17
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance15Ω/Ohm @10mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.8V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power source Not necessary to consider driving current because of its high input impedance Has high voltage and high-speed switching characteristics
描述与应用N沟道MOS FET的切换 直接被带有5V电源的IC驱动 不必考虑驱动电流，因为它的高输入阻抗 具有高电压和高速开关特性

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK1589
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