Please log in first
Home
Cart0
Inventory:5700 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK2373ZE
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZE
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Features Silicon N-Channel MOS FET Low frequency power switching Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch
描述与应用硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 小型封装 低驱动电流 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源 适合低信号负载开关

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2373ZE
*Title：
Message：
*Code：