Please log in first
Home
Cart0
Inventory:3000 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：2SK2570ZL
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZL
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.8Ω/Ohm @100mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Low Frequency Power Switching Features Silicon N-Channel MOS FET Low on-resistance 2.5V gate drive device Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 低频电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 低导通电阻 2.5V栅极驱动器 小型封装（MPAK）

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2570ZL
*Title：
Message：
*Code：