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Inventory:8500 Min Order：10
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  • Model：2SK2980
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+ 05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：ZZ
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @500mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.5-1.5V
耗散功率Pd Power Dissipation800mW/0.8W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistanceRDS(on)= 0. 2Ω typ.(VGS= 4 V, ID = 500 mA) 2.5V gate drive devices Small package (MPAK)
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低resistanceRDS（上）=0. 2Ω典型值（VGS=4 V，ID=500毫安） 2.5V栅极驱动装置 小型封装（MPAK）

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK2980
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