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Inventory:200 Min Order：10
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  • Model：2SK3225(1)-Z-E1
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+ 05+
  • Standard Package：2000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：K3225
  • Package：TO-252/D-PAK

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current34A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.013Ω/Ohm @17A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation2W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS = 40 mΩ typ High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS=40MΩ（典型值） 高速开关 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
2SK3225(1)-Z-E1
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