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  • Model：3SK319
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：YB
  • Package：SOT-143/MPAK-4

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage6V
最大漏极电流Id Drain Current20mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage6V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel Dual Gate MOS FET UHF RF Amplifier Features •Low noise characteristics; (NF= 1.4 dB typ. at f= 900 MHz) •Excellent cross modulation characteristics •Capable low voltage operation;
描述与应用硅N沟道双栅MOS FET UHF射频放大器 •低噪音特点;（NF=1.4 dB（典型值），在f=900兆赫） •优秀的交叉调制特性 •低电压工作能力;

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
3SK319
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