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Inventory:7700 Min Order：10
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Parameters：

  • Model：AO3408
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：A8
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 20v
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±8v
最大漏极电流Id Drain Current 5.8a
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance RDS(ON) < 42mΩ (VGS = 1.8V)
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage  
耗散功率Pd Power Dissipation 1w
Description & Applications *N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor. *The AO3408 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. AO3408L (Green Product) is offered in a lead -free package.
描述与应用 * N沟道增强型场效应晶体管。 * AO3408采用先进沟道技术，提供出色的RDS（ON），低栅极电荷和操作与栅极电压可低至1.8V。这个装置是适合用于作为负载开关或PWM应用。 AO3408L（绿色产品）提供无铅封装。

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* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AO3408
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