Home
Cart0
Inventory:0 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：AO6604
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：04+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：F4GD
  • Package：SOT-163/SOT23-6/TSOP6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		8V
最大漏极电流Id
Drain Current		3.4A/-2.5A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		72mΩ@ VGS = 1.8V,ID =2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		0.4~1V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.15W
Description & ApplicationsComplementary Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description The AO6604 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. Standard Product AO6602 is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications). AO6604L is a Green Product ordering option. AO6604 and AO6604L are electrically identical.
描述与应用互补增强模式场效应晶体管 概述 AO6604采用先进沟道技术，提供优良的RDS（ON）和栅极电荷低。互补MOSFET形成一个高速的逆变电源，适合多种应用。标准产品AO6602是无铅（符合ROHS＆ 索尼259规格）。 AO6604L是一种绿色产品订购选项。 AO6604和AO6604L是电动相同。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AO6604
*Title：
Message：
*Code：