Please log in first
Home
Cart0
Inventory:1400 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：AP2623Y
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：Y7E1
  • Package：SOT-163/SOT23-6/CPH6

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		-30V
最大栅源极电压Vgs(±)
Gate-Source Voltage		20V
最大漏极电流Id
Drain Current		-2A
源漏极导通电阻Rds
Drain-Source On-State Resistance		170mΩ@ VGS = -10V,ID = -2A
开启电压Vgs（th）
Gate-Source Threshold Voltage		-1~-3V
耗散功率Pd
Power Dissipation		1.2W
Description & ApplicationsP-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Low Gate Charge Low On-resistance RDS(ON) Surface Mount Package Description Advanced Power MOSFETs utilized advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance, extremely efficient and cost-effectiveness device.The SOT-26 package is universally used for all commercial-industrial applications.
描述与应用P沟道增强型功率MOSFET 低栅极电荷 低导通电阻RDS（ON） 表面贴装封装 描述 先进的功率MOSFET采用先进的加工技术，以实现尽可能低的导通电阻，非常高效和成本效益装置。SOT-26封装普遍用于所有商业，工业应用。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
AP2623Y
*Title：
Message：
*Code：