Please log in first
Home
Cart0
Inventory:4800 Min Order：10
Parameters
Related model

×

Parameters：

  • Model：BB101MAU
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：AU
  • Package：SOT-143

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage 6V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage ±6V
最大漏极电流Id Drain Current 25MA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance  
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage 0.2V~0.8V @VDS = 5 V, VG2S = 4 V ID = 100 μA
耗散功率Pd Power Dissipation 150MW
Description & Applications * Built in Biasing Circuit MOS FET IC . * UHF RF Amplifier. * Built in Biasing Circuit; To reduce using parts cost & PC board space. * Low noise characteristics; (NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz) * Withstanding to ESD; Built in ESD absorbing diode. Withstand up to 200V at C=200pF, Rs=0 conditions.
描述与应用 * 内置偏置电路MOS FET的IC。 * UHF射频放大器。 * 内置偏置电路降低零部件的成本与PC板空间。 * 低噪音特点;（NF= 2.0 dB（典型值）。在f =900兆赫） * 耐ESD;内置ESD吸收二极管。承受高达200V在C = 200pF，Rs = 0条件。

×

Online inquiry：

* From：
To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BB101MAU
*Title：
Message：
*Code：