集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 30V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 500mA/0.5A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 170MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 160~400 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 700mV/0.7V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 330mW/0.33W |
| Description & Applications | NPN Silicon AF Transistors For general AF applications High collector current High current gain Low collector-emitter saturation voltage Complementary types: BC807, BC808 (PNP) |
| 描述与应用 | NPN硅晶体管自动对焦 对于一般AF应用程序 高集电极电流 高电流增益 低集电极 - 发射极饱和电压，低管压降 互补类型：BC807，BC808（PNP） |