集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 32V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 20V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 40MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 85~375 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 1.35W |
| Description & Applications | NPN medium power transistor FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 20 V). APPLICATIONS • General purpose switching and amplification • Power applications such as audio output stages. |
| 描述与应用 | NPN中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大20 V）。 应用 •通用开关和放大 •电源应用，如音频输出级。 |