集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | -45V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 250~460 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter SaturationVoltage | −550mV/-0.55V |
耗散功率Pc
PoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V) • Low noise. APPLICATIONS • Low level, low noise, low frequency applications in hybrid circuits • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大45 V） •低噪音。 应用 •低层次，低噪音，低频率混合电路中的应用 •通用开关和放大。 |