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  • Model：BF861C
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：M35
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		25v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		12~25ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors General description N-channel symmetrical junction field effect transistors in a SOT23 package.
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管 一般说明 N沟道对称结场效应晶体管采用SOT23封装。

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To：
ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BF861C
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