集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 20V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 15V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 100mA/0.1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 5GHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 80 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 500mW/0.5W |
| Description & Applications | NPN 5 GHz wideband transistor DESCRIPTION NPN silicon planar epitaxial transistor in a plastic SOT23 envelope. It is primarily intended for low noise, general RF applications. |
| 描述与应用 | 5 GHz的宽带晶体管NPN 说明 硅NPN平面外延晶体管在一个塑料SOT23信封。它的主要目的是为噪音低，一般的RF应用。 |