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  • Model：BFR30
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：0636NOPB
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：M1P
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds
Drain-Source Voltage		25v
栅源极击穿电压V(BR)GS
Gate-Source Voltage		 -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSS
Drain Current		4~10ma
关断电压Vgs(off)
Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率Pd
Power Dissipation		250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors DESCRIPTION Planar epitaxial symmetrical junction N-channel field-effect transistor in a plastic SOT23 package. APPLICATIONS Low level general purpose amplifiers in thick and thin-film circuits.
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管说明 平面外延N沟道对称结 SOT23封装在一个塑料的场效应晶体管。 应用 低级别的通用放大器厚 薄膜电路。

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BFR30
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