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Inventory:2100 Min Order：10
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  • Model：BSS123
  • Manufacturer：HUABAN
  • Date Code：05+NOPB200
  • Standard Package：3000
  • Min Order：10
  • Mark/silk print/code/type：SA
  • Package：SOT-23/SC-59

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage100V
最大漏极电流Id Drain Current170mA/0.17A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3.4Ω/Ohm @1.7A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-1.2V
耗散功率Pd Power Dissipation360mW/0.36W
Description & ApplicationsN-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor BSS100: 0.22A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V. BSS123: 0.17A, 100V. RDS(ON)= 6W @ VGS = 10V High density cell design for extremely low RDS(ON) Voltage controlled small signal switch. Rugged and reliable.
描述与应用N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 BSS100：0.22A，100V。RDS（ON）=6W@ VGS= 10V。 BSS123：0.17A，100V。 RDS（ON）=6W@ VGS= 10V 高密度电池设计极低的RDS（ON） 电压控制小信号开关。 坚固,可靠

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ERIC ELECTRONICS TECHNOLOGY (HK) LIMITED
Product：
BSS123
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