集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 45V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 1A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 100MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 150~450 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 225mW/0.225W |
| Description & Applications | Low Vce（sat） NPN Epitaxial Planar Transistor Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), Pb-free lead plating and halogen-free package |
| 描述与应用 | 低VCE（sat）的NPN外延平面晶体管 特点 是专为通用低频功率放大器应用BTD2040N3S。 低VCE（饱和）， 无铅引脚电镀和无卤素封装 |