集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) | 100V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) | 100V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) | 3A |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) | 380MHz |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) | 200~500 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage | 240mV/0.24V |
耗散功率Pc
Power Dissipation | 900mW/0.9W |
| Description & Applications | NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors High-Current Switching Applications Applications :DC-DC converter, relay drivers, lamp drivers, motor drivers, flash. Features Adoption of MBIT processes. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching. Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm). High allowable power dissipation. |
| 描述与应用 | NPN平面外延硅晶体管 高电流开关应用 应用范围：DC-DC转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，闪光灯。 特点 通过MBIT流程。 高电流容量。 低集电极 - 发射极饱和电压。 高速开关。 超小型封装有利于小型化的终端产品（安装高度：0.9毫米）。 高允许功耗。 |