| 三极管BJT类型 TYPE |
PNP |
| 三极管BJT集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) |
-15V |
| 三极管BJT集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
-12V |
| 三极管BJT集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) |
-3A |
| 三极管BJT截止频率fT Transtion Frequency(fT) |
280MHz |
| 三极管BJT直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE) |
-500mA |
| 三极管BJT管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage |
-110~-165mV |
| 二极管DIODE类型 TYPE |
肖特基-单管 SBD-Single |
| 二极管DIODE反向电压VR Reverse Voltage |
11V |
| 二极管DIODE正向整流电流Io Rectified Current |
500mA |
| 二极管DIODE正向电压降VF Forward Voltage(Vf) |
400mV~450mV |
| 耗散功率Pc Power Dissipation |
1.3W |
| Description & Applications |
Features • TR : PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor SBD : Schottky Barrier Diode • DC/DC Converter Applications • Composite type with a PNP transistor and a Schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting. • The CPH6701 is formed with two chips, one being equivalent to the CPH3106 and the other the SBS001, encapsulated in one package. • Ultrasmall package facilitates miniaturization in end products (mounting height : 0.9mm). |
| 描述与应用 |
特点 •TR：PNP平面外延硅晶体管 SBD：肖特基二极管 •DC / DC转换器应用 •复合型与PNP晶体管和肖特基势垒二极管中包含一个包装促进高密度安装。 •CPH6701形成有两个芯片，一个相当于CPH3106和其他SBS001，封装在一个封装中。 •超小封装，有利于小型化的高端产品（安装高度：0.9毫米）。 |